• 增強型模式
• 高速 : T f=0.09μs(典型值)(我Ç=60A)
• 低飽和電壓 : V CE(SAT)=2.3V(典型值)(我Ç=60A)
• FRD包括發射極和集電極之間
 
商品規格
 
型號 : GT60M323
封裝 : TO-3P
簡述 : 絕緣柵雙極型 矽N溝道 晶體管 IC 芯片
包裝 : 全新品 壹包1入