詳細規格：
型號：SM3016N
封裝形式：TO-252（DPAK）
類型：N溝道增強型MOSFET
額定電壓：V<sub>DS</sub> = 30V
額定電流：I<sub>D</sub> = 16A
閘極閾值電壓：V<sub>GS(th)</sub> = 1–3V
導通電阻：R<sub>DS(on)</sub> ≤ 10mΩ
功率耗散：P<sub>D</sub> ≈ 60W（在標準散熱條件下）
工作溫度範圍：-55°C ~ +150°C
應用頻率：高達幾百kHz適用於開關電源
特性：低導通阻抗、高效率開關、高耐熱性能
應用範圍：
開關電源（SMPS）功率開關元件
DC-DC轉換器、馬達驅動電路
UPS主板功率控制、LED驅動電路
通用功率控制、負載開關、電源管理
適合高效率功率轉換與低損耗應用
封裝尺寸：
封裝形式：TO-252（DPAK）
引腳數量：3腳（Drain、Gate、Source）
長度：約6.5mm
寬度：約6.5mm
高度：約2.5mm（不含散熱片焊盤厚度）
焊盤尺寸：標準TO-252適配PCB焊盤
使用時數：
MOSFET晶片無固定壽命限制
在標準工作條件下，可長期使用數萬小時
適用於週期性開關和連續導通的功率控制
包裝方式：
壹包1入
防靜電袋封裝，防潮、防震，保護元件完整
適合單片測試、DIY或備件使用
注意事項：
安裝時請注意TO-252底部散熱焊盤正確焊接，避免散熱不足。
禁止反向接入電壓，避免MOSFET損壞。
請注意ESD（靜電放電）保護，避免閘極被損壞。
避免超過額定電壓和電流長期運行，以延長使用壽命。
出貨檢測說明：
每批產品出貨前進行電氣測試，包括：
導通電阻（R<sub>DS(on)</sub>）檢測
閘極閾值電壓（V<sub>GS(th)</sub>）測試
漏電流測試
外觀檢查：無焊點缺陷、裂紋或塑料損傷，確保晶片完好。
電阻